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ReRAMとフラッシュメモリのハイブリッドSSD

高速に書き換えが可能な抵抗変化型メモリ(ReRAM)と大容量のフラッシュメモリを3次元に組み合わせた、ハイブリッド構造のSSDアーキテクチャが中央大学理工学部の竹内健教授によって開発された。

また、書き込み領域を最適化するメモリ制御システムも合わせて開発したことにより、性能を11倍化、電力を93%削減、寿命を6.9倍化することに成功したとのこと。

ポイントはどうやら以下のように思われる。

・書き換えが高速なReRAM(50ナノ秒)とNANDフラッシュメモリ(1ミリ秒)の組み合わせ
・書き込み領域の最適化

ReRAMですべて構築するのが理想なのだろうが、ReRAMの実証容量はこの記事によると、エルピーダメモリ(Micron Technology社が支援)が64Mビット、パナソニックが8Mビットらしいので、現状では産業システム等の組み込み用途か、フラッシュメモリとのハイブリッドが現実解なのだろうなぁ。

今回のReRAMとNANDフラッシュメモリとのハイブリッド技術の発表はスマホのバッテリ保持の長時間化等、色々と期待したいところですが、普及には当然ながらReRAMの量産化と価格によって決まると思います。

今後に期待。
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[ 2012/06/20 22:41 ] その他 | TB(0) | CM(0)
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